在光催化研究中，半導體光催化材料高效寬譜的光吸收性能是保（bǎo）證光催化活性的一個必要而非（fēi）充分的（de）條件，因此（cǐ）對於光催化材料吸收光譜的表征是必不可少的。半導體的能帶結構一般由低能價（jià）帶（dài）和高能導帶構成（chéng），價帶和導帶之間存在禁帶。當半導體（tǐ）顆（kē）粒吸收足（zú）夠的光（guāng）子能量，價帶電子被激發越過禁帶進入（rù）空的導帶，而在價（jià）帶中留下一個空穴（xué），形成電子－空穴對。這種由於電子在帶間的躍遷所形成的吸收過程（chéng）稱（chēng）為半導體的本征吸收。要（yào）發生本征吸收，光子能量必須等於或大於禁帶的寬度Eg，即

                                                           （12.1）

其中，hν₀是能夠引起本征吸收的最低（dī）限度光子（zǐ）能量，即當頻率低於（yú）ν₀，或波（bō）長大於λ₀時，不（bú）可能產生本征（zhēng）吸收（shōu），吸收係數迅（xùn）速下降。這種吸收係數顯著（zhe）下降的特征波長λ₀（或特征頻（pín）率ν₀）稱為半導體材料的本征吸收限。

在半導體（tǐ）材料吸收（shōu）光譜中，吸光度曲線短波端陡峻地上升標誌著材料本征吸收的開始，本征波長與禁帶Eg關係可以用下（xià）式表示出來：

                                                     （12.2）

因此，根據半（bàn）導體材料不同的禁（jìn）帶寬度可以計算出相應的本征吸收長波限。

由於（yú）固體樣（yàng）品存在大量（liàng）的散射，所以不能直接測定樣品的吸收，通常使用固體紫外-可見（jiàn）漫反射光譜測（cè）得漫反射譜（UV-Vis Diffuse Reflectance Spectra, DRS），並轉化為吸收光譜。利（lì）用紫外－可見漫反（fǎn）射光譜法可以方便的獲得半導體光催化劑的帶（dài）邊位置，所以是光催化材料研究中的基本表征方（fāng）法（fǎ）。